又一巨头，发力先进封装

长期以来，又一巨头三星在晶圆代工领域的发力封装发展屡屡遇挑战。尽管其在3纳米工艺上率先采用GAA全环绕栅极技术，先进试图超越台积电，又一巨头但因初期良率问题，发力封装市场份额受到影响。先进根据TrendForce数据，又一巨头2025年第一季度，发力封装台积电在全球代工市场的先进份额达到67.6%，而三星则从8.1%降至7.7%。又一巨头

在制程技术推进上，发力封装三星原计划于2027年量产的先进1.4纳米工艺于2025年6月宣布推迟至2029年，德州泰勒市的又一巨头晶圆厂开业时间也因客户不足延迟至2026年，反映出先进制程市场竞争的发力封装严峻。

在压力之下，先进三星开始向另一个关键领域进军——先进封装市场。这一领域近年来成为半导体行业的战略高地，三星计划通过加大对先进封装技术的投入来实现突破。

70亿美元建厂，三星抢滩美国先进封装市场空白

与特斯拉签署价值165亿美元的芯片代工合约后，三星宣布将在美国投资70亿美元建立一座先进封装工厂。这一举措引发行业广泛关注，标志着三星在美国市场的进一步布局与决心。

美国在设计与制造领域拥有强劲实力，但高级封装技术却相对滞后，市场缺乏2.5D/3D叠加、Chiplet集成等关键技术设施，成为三星布局的核心目标。该工厂将支持三星“设计-制造-封装”一体化的战略，并计划与德州晶圆厂协同工作，争取在台积电于2029年投产时抢占市场先机。

三星还与特斯拉的订单密切关联，显示出客户对本土化产能的迫切需求，加速推进从制造到封装的本地化进程。此外，三星通过先进封装技术希望打破台积电在AI芯片封装领域的主导地位，进一步提升其市场竞争力。

政策红利方面，美国《芯片与科学法案》的补贴与三星的投资计划高度契合，可能降低其投资风险。然而，在美国建厂会面临高昂的人力与能源成本，如何控制成本成为一大挑战。

三星横滨设先进封装研发中心

三星还计划在日本横滨投资250亿日元（约1.7亿美元）设立先进芯片封装研发中心，以提高其在此领域的技术实力。该中心预计于2027年启用，并将深化与日本半导体产业的协同，通过与当地企业和东京大学的技术合作，提升研发能力。

三星加码SoP技术，挑战台积电SoW封装霸权

三星正在推进面板级系统（SoP）技术的商业化，直接挑战台积电的晶圆级系统（SoW）技术，以争夺下一代AI芯片市场。SoP技术采用超大尺寸面板作为封装载体，降低成本、提升集成度，与特斯拉的芯片系统对接。

尽管台积电的SoW技术已经投入生产，三星若能突破SoP技术面临的挑战，便有机会进入更高效的市场。在此过程中，三星还推出了“3.3D”先进封装技术，以提高其封装效率和竞争力。

三星布局玻璃基板封装，2028年技术落地

三星计划于2028年将在半导体封装中引入玻璃基板，以取代传统硅中介层。这种新的中介层将有助于降低生产成本，提高芯片性能，且更易于实现超精细电路。

三星在技术上采取务实的验证策略，以小尺寸玻璃单元的开发迅速切入市场，这与行业对玻璃基板的期待相吻合。

布局Fan-Out PKG，移动AI芯片的关键支撑

三星的扇出型封装技术为移动AI芯片案提供了高性能、低功耗的解决方案，通过多维度的技术创新，提升了生产效率和散热能力，满足了移动设备的高要求。

三星SAINT技术：存储与逻辑协同封装的创新突破

三星推出的SAINT技术系统，涵盖多种针对性的3D堆叠方案，优化存储与逻辑芯片的协同封装。该技术的核心在于实现HBM内存与逻辑芯片的高效集成。

三星I-Cube与X-Cube先进封装技术

三星在2.5D和3D IC封装领域构建了I-Cube和X-Cube技术体系，面向不同的市场需求，提升芯片的集成度与性能。

写在最后

在晶圆代工业务面临压力的情况下，三星通过多维度布局冲击先进封装市场，努力借助技术研发、产能落地和生态协同来构建竞争优势。其在美国的投资策略以及横滨的研发中心，将为三星在全球半导体产业中赢得更多话语权。在面对竞争和技术挑战时，三星凭借其强大的资源整合能力，期待在未来实现更大的市场突破。

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